Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия beta-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-

Abstract

Исследованы объемные образцы beta-Ga2O3, выращенные методом Чохральского. На основании исследований динамики поглощенного тока и катодолюминесценции было показано, что в образце наблюдается локализация заряда обоих знаков. Продемонстрировано, что локализация электронов приводит к существенному уменьшению интенсивности катодолюминесценции. Ключевые слова: объемный оксид галлия, люминесценция, ловушки носителей заряда.