2022
DOI: 10.21883/pjtf.2022.16.53199.19220
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Исследование Особенностей Электронного Спектра Квантовых Точек Узкозонных Полупроводников

Abstract: Samples with quantum dots (QDs) of narrow-gap semiconductors of the A3B5 group (indium antimonide) and the A2B6 group (mercury selenide) have been studied. The absorption spectra of the investigated QDs are analyzed and the correspondence of the maxima in the spectral characteristics to the model representations of the calculated electronic energy spectrum for this materials is assessed. It is concluded that used model representations requires refinement, primarily due to the fact that studied objects are nano… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2023
2023
2023
2023

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 10 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Качественное понимание этой аномалии было основано на учете фундаментальной особенности ПМВ -наличия энергетического барьера, разделяющего объемные киральные состояния фермионов Вейля и поверхностные состояния Ферми-арок[6]. Следует отметить нетривиальный вид спектральной зависимости поглощения нанокристаллов HgSe вблизи используемых длин волн[7].Настоящая работа посвящена продолжению исследования приповерхностной области монокристаллов HgSe с целью выявления новых особенностей временного поведения отраженного сигнала.Для исследования из однородной части монокристаллических слитков, выращенных методом Бриджмена, были вырезаны два образца HgSe (далее образцы № 1 и 2). Оба образца имели форму прямоугольного параллелепипеда размером 1 × 2 × 6 mm.…”
unclassified
“…Качественное понимание этой аномалии было основано на учете фундаментальной особенности ПМВ -наличия энергетического барьера, разделяющего объемные киральные состояния фермионов Вейля и поверхностные состояния Ферми-арок[6]. Следует отметить нетривиальный вид спектральной зависимости поглощения нанокристаллов HgSe вблизи используемых длин волн[7].Настоящая работа посвящена продолжению исследования приповерхностной области монокристаллов HgSe с целью выявления новых особенностей временного поведения отраженного сигнала.Для исследования из однородной части монокристаллических слитков, выращенных методом Бриджмена, были вырезаны два образца HgSe (далее образцы № 1 и 2). Оба образца имели форму прямоугольного параллелепипеда размером 1 × 2 × 6 mm.…”
unclassified