Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе

Abstract

Представлены результаты исследований процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO с помощью атомно-силового микроскопа. Методом рентгеновского микроанализа установлено, что окисленные участки пленки GeO представляют собой диоксид германия. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, и влажности воздуха на высоту оксидных структур. Кинетика процесса локального анодного окисления (ЛАО) GeO в полуконтактном режиме подчиняется модели Кабрера-Мотта для больших времен. Начальная скорость роста окисла (R 0) значительно увеличивается, а время начала окисления (t 0) уменьшается при повышении влажности воздуха на 20%, что связано с увеличением концентрации кислородсодержащих ионов на поверхности окисляемой пленки GeO. Показана возможность формирования наноструктур в тонких слоях GeO методом ЛАО. Рентгеновский микроанализ пленки GeO до и после окисления выполнялся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-07-00975). АСМ измерения проводились при поддержке Российского научного фонда (грант № 14-22-00143). Работа частично выполнена с использованием оборудования ЦКП " Наноструктуры" ИФП СО РАН.