ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ InP(001) МЕТОДОМ МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ИОНОВ

Abstract

Представлены энергетические распределения рассеянных ионов Ar+ в низкоиндексном направлении монокристалла InP(001) при малоугловом падении на эту поверхность. В энергетическом распределении наблюдаются пики, относящиеся к полуканалам, атомным цепочкам и дефектам. Наши результаты интересны при изучении поверхностных структур полупроводников.