Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

Abstract

Проведены исследования фотоотклика в диапазоне частот 0.15-15 ТГц в эпитаксиальных слоях HgCdTe с концентрацией кадмия от 15.2 до 19.2%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что узкозонные и бесщелевые твердые растворы HgCdTe могут быть использованы в качестве приемников как терагерцового, так и субтерагерцового излучения с характерным временем отклика 2-4 нс и величиной чувствительности, приближающейся к широко используемому в этом диапазоне приемнику на основе n-InSb. Ключевые слова: терагерцовое излучение, HgCdTe, фотоэлектрические приемники, фотопроводимость.