Квазиоптическая Теория Усиления Релятивистским Электронным Потоком Поверхностных Волн, Распространяющихся Над Гофрированными Структурами (Импедансное Приближение)

Усиление Коротковолнового Излучения На Основе Резистивной Неустойчивости Релятивистского Электронного Потока (Квазиоптическая Теория)

“…Это позволяет свести систему уравнений (5)- (7) к одно-му уравнению параболического типа для единственной компоненты магнитного поля [8]:…”

“…Следует отметить, что самосогласованная система уравнений, аналогичная (11), (12), была исследована в [8] при анализе черенковского механизма усиления волн, распространяющихся над слабогофрированными поверхностями идеальных проводников. В этом случае поверхностный импеданс χ является действительной величиной, и соответственно в отсутствие электронного потока существуют собственные замедленные поверх-ностные волны, которые может возбуждать и усиливать прямолинейный электронный пучок.…”

“…В приближении малого сигнала, линеаризуя систему уравнений (11), (12) и представляя амплитуды поля и высокочастотного тока в виде H, J =H(Y ),J(Y ) exp(−iŴZ), где Ŵ -нормированная комплексная поправка к продольному волновому числу k, получим дисперсионное уравнение, которое с точностью до определения значения импедан-са совпадает с дисперсионным уравнением работы [8]:…”

“…ig, iκ -соответствующие комплексные поперечные волновые числа поля вне и внутри электронного потока, введенные по аналогии с обозначениями [8]. В случае предельно тонкого ленточного электрон-ного слоя κB e ≪ 1 можно приближенно записать в [8], c точки зрения процессов усиления излучения представляют интерес решения, удовлетворяющие сле-дующим критериям:…”

“…В случае предельно тонкого ленточного электрон-ного слоя κB e ≪ 1 можно приближенно записать в [8], c точки зрения процессов усиления излучения представляют интерес решения, удовлетворяющие сле-дующим критериям:…”