Контроль Упругих Напряжений С Помощью Оптической Системы Измерения Кривизны Подложки При Росте Гетероструктур III-N Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

Abstract

Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III-N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508

Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/c-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

“…Для роста ЗС и БС AlN при температурах подложки T S = 780−850 • С использовались импульсные методы эпитаксии с повышенной миграцией адатомов (ЭПМА) и металл-модулированной эпитаксии (ММЭ) соответственно, которые подробно описаны в [3,4]. На отожженные и нитридизованные подложки c-сапфира методом ЭПМА осаждались ЗС AlN толщиной 65 nm при температуре T S = 780 • С в двух режимах с различным соотношением ростовых потоков алюминия и плазменно- [5]. Кристаллическое качество и макронапряжения темплейтов изучались методами высокоразрешающей трехкристальной (ТКД) и дифференциальной двухкристальной дифрактометрии (ДКД) с использованием щели перед счетчиком.…”