Кристаллизация И Механические Свойства Твердых Растворов Халькогенидов Висмута И Сурьмы

На основе анализа современной научно-технической литературы рассмотрены материалы для термоэлектрических устройств, работающих при различных температурах в интервале от 100 до 1300 K. Основное внимание уделено получению наноструктурных термоэлектрических материалов. Установлено, что наиболее перспективными методами получения таких материалов являются методы спиннигования расплава, искрового плазменного спекания и экструзия. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44650.36

Section: температуры 150−400 Kunclassified

Термоэлектрические Материалы Для Различных Температурных Уровней

Иванова¹

2017

“…В настоящее время активно развивается новое направление поиска эффективных термоэлектрических материалов, заключающееся в получении сложных тройных или четверных узкозонных халькогенидов, обладающих сложными кристаллическими решетками [9][10][11]. Для этих материалов ожидаются низкие значения теплопроводности.…”

Section: Introductionunclassified

Физико-химические взаимодействия в системе GeSb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-4-=/SUB=--PbSb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-4-=/SUB=-

Гурбанов¹,

Адыгезалова²

2020

Впервые комплексными методами (дифференциально-термический, микроструктурный, рентгенофазовый анализы измерением микротвердости и определением плотности) физико-химического анализа исследован разрез GeSb2Te4-PbSb2Te4 квазитройной системы GeTe-Sb2Te3-PbTe и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез является частично квазибинарным сечением квазитройной системы GeTe-Sb2Te3-PbTe. Выявлена область твердых растворов на основе GeSb2Te4 (15 мол%, PbSb2Te4). При соотношении исходных компонентов 1:1 образуется конгруэнтно-плавящееся соединение GePbSb4Te8. Методом химических транспортных реакций получены монокристаллы четверного соединения GePbSb4Te8. Определены параметры элементарной ячейки GePbSb4Te8, кристаллизующейся в ромбической сингонии: a=5.06 Angstrem, b=9.94 Angstrem, c=11.62 Angstrem. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GePbSb4Te8 и твердого раствора (GeSb2Te4)x (PbSb2Te4)1-x установлено, что сплавы имеют p-тип проводимости. Ключевые слова: квазитройные системы, монокристаллы, физико-химический анализ, твердые растворы, химические транспортные реакции.

“…В настоящее время задача исследователей состоит в увеличении эффективности и механической прочности термоэлектрических материалов за счет их мелкодисперсной, нанокристаллической структуры. В данной работе был использован новый метод получения таких материалов с помощью быстрой кристаллизации расплава в охлаждаемой жидкости применительно к термоэлектрическим материалам твердого раствора теллуридов висмута и сурьмы n-типа проводимости, который описан в работе [1].…”

Section: Introductionunclassified

Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута n-типа проводимости, полученные кристаллизацией расплава в жидкости

Иванова¹,

Гранаткина²,

Мальчев³

et al. 2019

The microstructure, mechanical, and thermoelectric properties of samples of the n -type Bi_2Te_3–Bi_2Se_3 solid-solution samples containing 6, 8, and 10 mol % Bi_2Se_3, doped with antimony iodide, cadmium chloride, and hexabromobenzene, are investigated. The samples are formed by hot pressing and the extrusion of granules prepared by melt crystallization in a liquid and ground in a mortar, cutting mill, and ball mill. Measurements are performed at room temperature and in the range of 100–600 K. The formation conditions and compositions of materials with an ultimate compressive strength of ~250 MPa and thermoelectric efficiency of ( ZT )_max = (0.9–1.0) in the temperature range of 320–430 K are found.