2018
DOI: 10.21883/ftp.2018.08.46226.8834
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Лазерная Генерация Многопериодных Квантово-Каскадных Лазеров На Длине Волны Излучения 8 Мкм При Комнатной Температуре

Abstract: Room-temperature lasing at a wavelength of 8 μm in multistage quantum-cascade lasers pumped by current pulses is demonstrated. A quantum-cascade laser heterostructure based on the In_0.53Ga_0.47As/A_l0.48In_0.52As alloy heteropair, matched to an InP substrate, is grown by molecular-beam epitaxy and consists of 50 identical cascades placed in a waveguide with air as the top cladding. A threshold current density of ~5.1 kA/cm^2 at a temperature of 300 K is obtained in ridge lasers with a cavity length of 1.4 mm … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2019
2019
2023
2023

Publication Types

Select...
3

Relationship

2
1

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(2 citation statements)
references
References 32 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/Al 0.48 In 0.52 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда [10,11]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/Al 0.48 In 0.52 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда [10,11]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
Section: поступило в редакцию 4 апреля 2019 г в окончательной редакцunclassified
“…Активная область включала 50 каскадов на основе гетеропары In 0.53 Ga 0.47 As/In 0.52 Al 0.48 As. Использована конструкция с двухфононным резонансным рассеянием носителей заряда[12,13]. Толщина верхней обкладки волновода (слоя InP) составила 4 µm (n = 1 • 10 17 cm −3 ).…”
unclassified