Локальное анодное окисление слоев графена на SiC

Abstract

A method of local anodic oxidation has been used to obtain graphene-oxide regions on SiC. The change of the surface properties was confirmed by atomic-force microscopy and Raman spectroscopy. Experimental data were obtained on the conductivity, potential, and topography of the oxidized regions. It was shown that the oxidation leads to a rise in the surface potential. A relationship was found between oxidation parameters, such as the scanning velocity and the probe voltage. The method of local anodic oxidation was used to obtain by lithography an ~20-nm-wide nanoribbon and an ~10-nm-wide nanoconstriction.

Терагерцевый Ближнепольный Отклик В Лентах Графена

“…Границы монослойных графеновых лент были сформированы методом локального анодного окисления (ЛАО). Метод ЛАО является методом безмасочной зондовой литографии и позволяет создавать изолирующие области оксида графена с разрешением ∼ 10 nm [10]. Для протекания процесса окисления необходимо присутствие поверхностной пленки воды (влажность > 50%), а также приложение постоянного электрического напряжения между зондом атомно-силового микроскопа и поверхностью графена.…”

“…ной ∼ 1 µm являются областями с оксидом графена. Ранее было показано, что поверхностный потенциал полностью окисленного графена на поверхности 6H-SiC выше потенциала неокисленного графена [10]. Ширина графеновых лент составляла 0.5, 2.5, 3.6 и 6 µm.…”