Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

Abstract

The photoluminescent properties at 77 and 300 K are investigated for Ga1 xInxAsyP1 y epilayers with V-group elements content gradient Δy up to 0.08 across whole thickness (about 1 µm). Ga1 xInxAsyP1 y layers with high Δy values have widened photoluminescence spectra. For GaInAsP layers of low crystaline perfection, photoluminescence was either absent or manifested itself as it is typical for transitions involving impurity levels.

Варизонные гетероструктуры Al-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-P-=SUB=-z-=/SUB=-As-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaAs для фотоэлектрических преобразователей

“…Эффективность работы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе полупроводниковых гетероструктур A 3 B 5 зависит от многих факторов, к которым, в частности, относятся структурное качество используемых фоточувствительных материалов, параметр кристаллической решетки и ширина запрещенной зоны (ЗЗ). К настоящему времени твердые растворы соединений A 3 B 5 получили широкое распространение в технологии ФЭП и применяются для p−n-переходов, а также в качестве широкозонных оптических окон, потенциальных барьеров и буферов для согласования периодов кристаллических решеток в многослойных гетероструктурах [1][2][3][4]. Физическая природа твердых растворов позволяет создавать изопериодные гетероструктуры [5][6][7], в которых рассогласование периодов кристаллических решеток слоя и подложки a = 0, и варизонные гетероструктуры [8][9][10], в которых ширина запрещенной зоны слоя изменяется по его толщине.…”