Люмінесцентні Властивості Приповерхневих Напівпровідникових Шарів Та Квантових Надґраток

Abstract

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання електронно-діркової плазми в НҐ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.