Модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора

Abstract

Разработана новая количественная модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора. В основе модели лежит реакция депассивации поверхностных состояний на межфазной границе Si-SiO2 и водородосодержащих дырочных ловушек вблизи межфазной границы Si-SiO2 положительно заряженными ионами водорода H+, накапливающимися в p+-инверсном слое кремниевой подложки. Зависимости поверхностного и объемного зарядов в p-МОП-транзисторах от времени отрицательной термополевой нестабильности определяются кинетикой диффузии и дрейфа ионов H+ из кремниевой подложки к межфазной границе Si-SiO2. Влияние напряжения затвора на отрицательную термополевую нестабильность объясняется посредством влияния напряженности электрического поля на коэффициент сегрегации ионов H+ на межфазной границе Si-SiO2. Релаксация положительного объемного заряда, введенного в подзатворный диэлектрик при отрицательной термополевой нестабильности, описывается туннельной разрядкой оксидных ловушек электронами кремниевой подложки. Ключевые слова: МОП-транзистор, термополевая нестабильность, поверхностные состояния, оксидные ловушки, моделирование.

Влияние Интенсивности Ионизирующего Облучения На Отклик Моп-Структур

“…По данным работы [28], разрядка ОЗ начинается уже при t ∼ 10 −3 c. Принято считать, что до температуры ∼ 125 • С релаксация ОЗ после ИО происходит преимущественно по механизму туннелирования, а при более высоких температурах по механизму термоэмиссии [6,29]. Однако наши расчеты показывают, что при механизме туннелирования (R = R T N по (14)), с параметрами, близкими к найденным в [30] пленки. Следовательно, механизмом релаксации ОЗ является не туннелирование, а термоэмиссия (R = R T E по (15)).…”