Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 &amp;mu;m

Бабичев, А.В.; Дюделев, В.В.; Гладышев, А.Г.; Михайлов, Д.А.; Курочкин, А.С.; Колодезный, Е.С.; Бугров, В.Е.; Неведомский, В.Н.; Карачинский, Л.Я.; Новиков, И.И.; Денисов, Д.В.; Ионов, А.С.; Слипченко, С.О.; Лютецкий, А.В.; Пихтин, Н.А.; Соколовский, Г.С.; Егоров, А.Ю.

doi:10.21883/pjtf.2019.14.48025.17824

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Гетероструктура ККЛ была выращена на подложке InP с ориентацией (001) компанией " Коннектор Оптикс" на промышленной установке молекулярно-пучковой эпитаксии Riber 49 [8,9]. Активная область двух типов гетероструктур ККЛ сформирована из 30 и 45 каскадов на основе гетеропары твердых растворов In 0.67 Ga 0.33 As/In 0.36 Al 0.64 As [10].…”

Section: поступило в редакцию 3 сентября 2021 г в окончательной редакции 23 сентября 2021 г принято к публикации 24 сентября 2021 гunclassified

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Бабичев¹,

Гладышев²,

Денисов³

et al. 2021

Письма В Журнал Технической Физики

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The possibility of fabrication of 4.6 µm spectral range quantum-cascade laser heterostructures by molecular-beam epitaxy technique with non-selective overgrowth by the metalorganic vapour-phase epitaxy is shown. The active region of the laser was formed on the basis of a heteropair of In0.67Ga0.33As/In0.36Al0.64As solid alloys. The waveguide claddings are formed by indium phosphide. The results of surface defects inspection and X-ray diffraction analysis of quantum-cascade laser heterostructures allow to conclude that the structural quality of the heterostructures is high and the estimated value of the root mean square surface roughness does not exceed 0.7 nm. Lasers with four cleaved facets exhibit lasing at room temperature with a relatively low threshold current density of the order of 1 kA /cm2.

show abstract

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Бабичев¹,

Гладышев²,

Денисов³

et al. 2021

Письма В Журнал Технической Физики

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Полоски формировались посредством травления двух глубоких мезоканавок. Полный процесс постростовой обработки описан в работе [10]. Высокое структурное качество гетероструктур и качество постростовой обработки позволяют реализовать высокую выходную оптическую мощность исследуемых ККЛ [11].…”

unclassified

Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 μm

Дюделев¹,

Михайлов²,

Мыльников³

et al. 2020

Письма В Журнал Технической Физики

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The near and far fields of quantum cascade lasers emitting in the spectral range near 8 µm have been studied. Lasing in the fundamental waveguide mode along the "fast" axis with a divergence of ~ 50º was observed in all samples of lasers with stripe widths of 22 and 50 µm in the entire range of pump currents. On the "slow" axis, multimode lasing and competition between the fundamental and higher waveguide modes were observed, which manifests itself for lasers with a 50 µm stripe in an increase of the radiation divergence from ~ 10º near the threshold to > 50º with a two-fold excess of the lasing threshold. The divergence along the slow axis for lasers with a stripe width of 22 µm remained unchanged over the entire range of pump currents and amounted to ~ 50º. The significant contribution of the fundamental mode to the total radiation intensity of quantum cascade lasers, being obvious from the far-field intensity distribution, cannot be established solely from the results of measurements of the near-field.

show abstract

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm

Cited by 2 publications

References 11 publications

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 μm

Contact Info

Product

Resources

About

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 &mu;m

Cited by 2 publications

References 11 publications

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Гетероструктуры Квантово-Каскадных Лазеров С Неселективным Заращиванием Методом Газофазной Эпитаксии

Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 &mu;m

Contact Info

Product

Resources

About

Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 μm

Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 μm