НАБЛЮДЕНИЕ СПИНОВОГО И ДОЛИННОГО РАСЩЕПЛЕНИЯ УРОВНЕЙ ЛАНДАУ ПРИ МАГНИТОТУННЕЛИРОВАНИИ В Графен/Нитрид Бора/Графен СТРУКТУРАХ, "Письма В Журнал Экспериментальной И Теоретической Физики"

Влияние параллельного слоям магнитного поля на фототок в GaAs/AlAs p-i-n-структурах

“…Осцилляции фототока от напряжения смещения также наблюдались в p−i−n-GaAs/AlAs или InGaN/GaN сверхрешетках [3,4]. Недавно в однобарьерных GaAs/AlAs p−i−n-гетероструктурах были обнаружены гигантские oсцилляции фотока при облучении светом с энергией фотона, большей, чем ширина запрещенной зоны в GaAs, которые проявлялись как множественные резонансоподобные особенности на вольтамперных характеристиках [5,6]. Поглощение света с энергией больше ширины запрещенной зоны в таких полупроводниковых структурах приводит к генерации электронно-дырочных пар.…”

Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера h-BN в гетероструктурах графен/h-BN/графен

“…В современных ван-дер-ваальсовых графеновых гетеросистемах эти исследования еще более актуальны [1], поскольку в них предполагается возможность достижения частот генерации вплоть до терагерцового диапазона [2] и недавно уже показана возможность реализации областей ОДП. Так, например, при туннелировании и магнитотуннелировании через барьер из гексагонального нитрида бора (h-BN) между графеновыми слоями, кристаллические решетки которых хорошо сориентированы по углу, наблюдались как область ОДП, так и обусловленный этим эффект генерации тока [3,4].…”

Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в p-i-n-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs

“…По-хожие квантово-размерные эффекты наблюдались так-же в фототоке оптически возбужденных сверхрешеток p−i−n-GaAs/AlAs [9]. Осцилляции фотопроводимости от смещающего напряжения в p−i−n-гетероструктурах GaAs/InAs/AlAs были впервые обнаружены нами совсем недавно [10] и описаны как следствие квантования дви-жения фотовозбужденных носителей в нелегированных околобарьерных областях гетероструктуры. Изучение релаксации фотопроводимости или концентрации (за-ряда) фотовозбужденных носителей при импульсном световом воздействии уже давно является эффективным инструментом выяснения механизмов рекомбинации и других важных для оптоэлектронных, компьютерных и высокочастотных приложений физических свойств в раз-нообразных полупроводниковых и полуметаллических системах.…”

“…В сере-дине каждой из этих областей были выращены слои самоорганизованных квантовых точек (QDs) InAs. Более детально такие структуры описаны в работах [10,[14][15][16][17]. Зонная диаграмма активной области структуры А при напряжении < 1.5 B и слабом освещении схематически показана на pис.…”

“…1). При этом каждый раз, когда E j совпадает с E C R , происходит резкий рост перекрытия волновых функций электронов на E j со свободными дырками в правом контакте и соответству-ющее увеличение темпа рекомбинации таких носителей, что и приводит к модуляции фотопроводимости [10]. Этот же механизм рекомбинации является причиной осциллирующей компоненты временных зависимостей фототока.…”