Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами

Abstract

Поступила в Редакцию 21 февраля 2019 г. В окончательной редакции 24 февраля 2019 г. Принята к публикации 24 февраля 2019 г.Исследовано влияние низкотемпературного (до 600 • С) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе n-4H-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1 · 10 16 см −2 . Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300 • С. При увеличении температуры отжига до 500 • С происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500 • С, 30 мин.Ключевые слова: карбид кремния, облучение электронами, радиационные дефекты, отжиг.

Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре

“…Влияние на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки облучения электронами высокой энергии и последующего отжига исследовалось в целом ряде работ (см., например, [5][6][7][8][9][10][11][12] и ссылки в этих работах). Все эти исследования проводились в условиях, когда диоды Шоттки облучались при комнатной температуре.…”