О Диполь-Дипольном Взаимодействии Атомов В Слоях, Адсорбированных На Трехмерных И Двумерных Полупроводниках

Abstract

Simple model schemes for the account of the dipole-dipole repulsion in sub-monolayers on 3D and 2D semiconductor substrates are proposed. General expressions for the band and local states contributions to the charge transfer between adlayer and substrate are given in the function of substrate coverage with adatoms. Analytical estimations are fulfilled for the number of the specific characteristic cases.

Электронные Состояния Атомов В Монослоях, Адсорбированных На Карбиде Кремния

“…Влияние диполь-дипольного взаимодействия на электронное состояние атомов в слоях на полупроводнике изучалось нами в работе [8]. В соответствии с результатами работ [5,6] число заполнения адатома n = n b + n l , где n b -зонный вклад, который при нулевой температуре равен вкладу валентной зоны n v , n l -вклад локальных состояний с энергиями ω l , лежащими в запрещенной зоне подложки.…”

“…В соответствии с результатами работ [5,6] число заполнения адатома n = n b + n l , где n b -зонный вклад, который при нулевой температуре равен вкладу валентной зоны n v , n l -вклад локальных состояний с энергиями ω l , лежащими в запрещенной зоне подложки. Как показано при нулевой температуре в работе [8] числа заполнения в адслое равны:…”

“…-функция Хэвисайда, Z( ) -заряд адатома в адслое, равный 1 − n( ), если уровень адатома изначально (до адсорбции) заполнен (адатомыдоноры), и −n( ), если уровень адатома изначально пуст (адатомы-акцепторы). Общий анализ зависимостей (1) и (2) проведен в работе [8]. Здесь мы обратимся к численным оценкам значений n ML = n( = 1) и Z ML = Z( = 1) для конкретных адсорбционных систем.…”