Общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb

Abstract

Обнаружена общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb. Родство термоактивационных и полевых процессов перемагничивания экспериментально выражается в том, что максимум на полевых зависимостях магнитной вязкости S(H) совпадает с коэрцитивной силой HC образца. Анализ этого экспериментального факта позволил получить формулу, устанавливающую связь HC с параметрами модели, описывающей зависимости S(H). Полученная формула идентична известному закону Кнеллера, определяющему температурную зависимость HC (T ) невзаимодействующих суперпарамагнитных наночастиц.Работа поддержана грантом Президента РФ МК-5754.2016.3.

Влияние температур роста и постростового отжига на магнитные свойства наночастиц Mn-=SUB=-1+x-=/SUB=-Sb, внедренных в тонкие пленки GaSb

“…), а также исследована зависимость намагниченности от концентрации носителей заряда. Так же было изучено спонтанное перемагничивание наночастиц Mn 1+x Sb, внедренных в тонкие пленки GaSb [26] и установлена взаимосвязь между их спонтанным и вынужденным перемагничиванием [27]. В работах [28,29]…”

Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb

“…В работе [26] изучено спонтанное перемагничивание нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки, что приблизило понимание механизмов возникновения электродвижущей силы в " спиновых батарейках". В работе [27] установлена взаимосвязь между спонтанным и вынужденным перемагничиванием тонких пленок. В работе [28] определены условия и механизмы контролируемого изменения магнитой анизотропии пленок GaMnSb посредством термообработки.…”