Определение диоксида азота тонкопленочными химическими сенсорами на основе Cd
            <sub />
            Pb
            <sub>
              1 –
            </sub>
            <sub />
            S

Бездетнова, Алена Евгеньевна; Марков, Вячеслав Филиппович; Маскаева, Л. Н.; Шашмурин, Юрий Германович; Франц, Алена Сергеевна; Виноградова, Татьяна Владимировна

doi:10.1134/s0044450219120028

Cited by 3 publications

(4 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Уникальное сочетание электрофизических характеристик, варьирование которых позволяет рассматривать твердые растворы Cd x Pb 1−x S как наиболее предпочтительный материал, обладающий большими потенциальными возможностями для создания ИК детекторов [1,2], приборов экологического контроля [3,4], а также высокоэффективных солнечных элементов [5][6][7].…”

Section: Introductionunclassified

“…В литературе с учетом множества публикаций по влиянию условий химического осаждения пленок Cd x Pb 1−x S на морфологию, состав, кристаллическую структуру и полупроводниковые свойства [8][9][10][11][12][13][14][15][16][17] практически не обсуждается вопрос о сравнительных исследованиях по влиянию на конечный результат синтеза материала подложки. В качестве подложечного материала для пленок Cd x Pb 1−x S чаще всего используют предметное стекло [10,12,14,[17][18][19], а также ситалл [3,4,13,16].…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Маскаева¹,

Pozdin²,

Марков³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе "пленка---подложка" при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора CdxPb1-xS в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе "пленка--подложка" с -9.32 до -121.79 кН/м2 в ряду пористое стекло--предметное стекло--ситалл--кремний (111)--плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы CdxPb1-xS, механические напряжения сжатия.

show abstract

Section: Introductionunclassified

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Маскаева¹,

Pozdin²,

Марков³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Актуальным объектом экспериментального и теоретического исследования уже не одно десятилетие являются тонкие пленки твердых растворов замещения Cd x Pb 1−x S на основе широкозонного CdS (2.42 eV) и сравнительно узкозонного PbS (0.41 eV) -благодаря их уникальным функциональным свойствам, легкости варьирования ширины запрещенной зоны и широкой востребованности в опто-и наноэлектронике [1,2], сенсорной технике [3][4][5] и гелиоэнергетике при создании преобразователей солнечного излучения [1,[6][7][8][9]. Из многообразия физических и химических методов получения Cd x Pb 1−x S исследователи отдают предпочтение химическому осаждению из водных растворов (CDB).…”

Section: Introductionunclassified

“…Одним из доступных и широко используемых в микроэлектронике подложечных материалов, обеспечивающих хорошую адгезию к нему пленок Cd x Pb 1−x S, является ситалл. Так, ситалловые подложки марок СТ-50-1 и СТ-150-1-2 использовались в [4,5,18,21,22]. Известны работы по использованию в качестве подложек при осаждении пленок Cd x Pb 1−x S кремния, кварца, пористого стекла [10,26].…”

Section: Introductionunclassified

Особенности состава и морфологии пленок Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Pb-=SUB=-1-x-=/SUB=-S, сформированных на различных подложках

Маскаева¹,

Марков²,

Поздин³

et al. 2020

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Chemical deposition of the films consisting of CdxPb1−xS substitutional solid solutions with a cubic B1 structure was carried out from aqueous solutions on the substrates made of single-crystal silicon, sitall, conductive ITO coating and glass. Comparative analysis of films deposited on the various substrates has revealed a number of features associated with their morphology, grain size, elemental and phase composition. It was suggested to describe the diffraction reflection profiles using three- or two-phase models, taking into account the diffuse scattering background from an amorphous material or excluding reflections from the crystalline substrate material in order to increase the quantitative assessment of the structural parameters of CdxPb1−xS films obtained on various substrates. X-ray diffraction, XPS and optical studies have shown that the synthesized films contain, in addition to the CdxPb1−xS phase, impurity wide-gap compounds: Pb(OH)2, Pb(OH)(СН3СОО) and CdS.

show abstract

Chemical Deposition of CdxPb1 – xS/CdyS Thin-Film Composite Structures

Selyanina,

Maskaeva,

Voronin

et al. 2023

Žurnal neorganičeskoj himii

View full text Add to dashboard Cite

Thin films of CdxPb1 – xS (0 ≤ x ≤ 0.094) substitutional solid solutions of cubic structure B1 (space group Fm) were prepared by chemical deposition and characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, EDX elemental analysis, and Raman spectroscopy. Once the cadmium sulfate concentration in the batch reached some critical value (0.1 mol/L), the films formed involved two autonomous phases: CdxPb1 – xS substitutional solid solutions and hexagonal cadmium sulfide CdyS of structure В4 (space group P63mc). The method and its parameters as proposed are efficient for manufacturing heterostructures in the CdS–PbS system in one-pot deposition.

show abstract

Определение диоксида азота тонкопленочными химическими сенсорами на основе Cd _{Pb
_{1 –}
_S}

Cited by 3 publications

References 0 publications

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Особенности состава и морфологии пленок Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Pb-=SUB=-1-x-=/SUB=-S, сформированных на различных подложках

Chemical Deposition of CdxPb1 – xS/CdyS Thin-Film Composite Structures

Contact Info

Product

Resources

About

Определение диоксида азота тонкопленочными химическими сенсорами на основе Cd Pb 1 – S

Cited by 3 publications

References 0 publications

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

Особенности состава и морфологии пленок Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Pb-=SUB=-1-x-=/SUB=-S, сформированных на различных подложках

Chemical Deposition of CdxPb1 – xS/CdyS Thin-Film Composite Structures

Contact Info

Product

Resources

About

Определение диоксида азота тонкопленочными химическими сенсорами на основе Cd _{Pb
_{1 –}
_S}