Особенности Волноводной Рекомбинации В Лазерных Структурах С Асимметричными Барьерными Слоями

Abstract

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распре-деление интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см 2 ) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно -максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок.