Особенности гальваномагнитных явлений в сильных магнитных полях в бикристаллах кручения 3D топологического изолятора Bi-=SUB=-1-x-=/SUB=-Sb-=SUB=-x-=/SUB=- (0.07≤ x≤ 0.2)

Abstract

Исследованы гальваномагнитные явления в бикристаллах кручения сплавов Bi 1−x Sbx (0.07 ≤ x ≤ 0.2) при низких температурах и в магнитных полях до 40 Тл. Установлено, что при малых углах разориентации кристаллитов переход полупроводник-полуметалл индуцируется в центральном (толщина ∼ 60 нм) и двух смежных слоях (толщина ∼ 20 нм каждый) интерфейса при разных значениях ультраквантового магнитного поля. В бикристаллах с большими углами разориентации в сильных магнитных полях наблюдались квантовые осцилляции магнитосопротивления и эффекта Холла, которые свидетельствуют о том, что плотность электронных состояний выше, а носители заряда тяжелее в смежных слоях интерфейсах, чем в кристаллитах. Наши результаты показывают также, что в бикристаллах кручения существуют области разной плотности квантовых электронных состояний, зависящие от угла разориентации кристаллитов и напряженности магнитного поля.