Поликристаллические пленки ZnO : Te/Si(111) получены методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления. Свойства пленок ZnO : Te/Si(111) исследованы с помощью фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и атомной силовой микроскопии. Фотолюминесцентные измерения показали, что в спектре излучения пленок ZnO : Te/Si(111) наблюдается весь диапазон видимой части спектра. Изучение спектра пленок ZnO : Te/Si(111) при 77 K показывает, что люминесценция смещается в красную область. Отжиг пленок при различных температурах (300-500oC) приводит к общему уменьшению интенсивности и к смещению излучения в длинноволновую область спектра. Ключевые слова: оксид цинка, люминесценция, структура, морфология.