Плазменная экранировка края фундаментального поглощения в кристаллах твердых растворов Bi₂Te₃–Sb₂Te₃, содержащих более 80 молярных процентов Sb₂Te₃

Отражение от боковой грани кристалла PbSb-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-4-=/SUB=-

“…Из рисунка можно видеть, что все представленные спектры отражения от граней кристаллов PbSb 2 Te 4 имеют два минимума. Эти же два минимума наблюдаются в спектре легированного медью образца [8], а также в кристаллах Bi 2 Te 3 , как в чистых, так и слабо легированных [9][10][11], при измерении отражения в достаточно широкой области. Интересно отметить, что в кристаллах, имеющих схожую симметрию, таких как, например, Bi 2 Se 3 или Sb 2 Te 3 , в спектрах отражения второго минимума не наблюдается [12].…”

“…В работе [10] была предпринята попытка объяснить наличие второго минимума, связав его с предшествующим подъемом отражения за счет электрон-плазмонного взаимодействия. Однако в [9] такое объяснение было поставлено под сомнение из-за большого различия в энергиях процессов, участвующих во взаимодействии. Поэтому природа явления пока не разгадана, хотя математически эффект второго минимума описывается довольно точно [6,9].…”

“…Однако в [9] такое объяснение было поставлено под сомнение из-за большого различия в энергиях процессов, участвующих во взаимодействии. Поэтому природа явления пока не разгадана, хотя математически эффект второго минимума описывается довольно точно [6,9].…”

Спектры отражения кристаллов p-Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- : Sn в широкой ИК области

“…Во-первых, кристаллы халькогенидов висмута и сурьмы растут со значительным отклонением от стехиометрического состава, что приводит к образова-нию большого количества разнообразных электрически активных точечных дефектов. Типичные концентрации носителей тока в кристаллах Bi 2 Te 3 составляют величи-ны порядка 10 18 см −3 и имеют более высокие значения в других соединениях. Во-вторых, имеются трудности выращивания совершенных монокристаллов достаточно больших размеров в направлении тригональной оси C 3 , что связано с их низкой механической прочностью из-за преимущественно ван-дер-вальсового характера связи между квинтетами.…”

“…Значительное количество информации о свойствах электронной подсистемы кристаллов p-Вi 2 Те 3 было по-лучено из анализа спектров отражения [1,[6][7][8][9][10][11][12][13]. Однако найденные из этих спектров параметры плазменных колебаний, так же как в случае кинетических явлений, характеризуются значительным разбросом их величин.…”