Получение Композиционных Материалов На Основе Карбида Кремния Силицированием Углеродных Матриц

Abstract

Разработан метод получения деталей сложной геометрической формы из композиционного материала на основе SiC-керамики, который основан на взаимодействии расплава кремния с углеродной матрицей определенного состава и пористости. Для повышения рабочих температур керамических деталей разработана методика нанесения защитных карбидокремниевых покрытий, основанная на взаимодействии расплава и паров кремния с углеродом, получаемым при термическом расщеплении молекул углеводорода. Новая кон-струкционная керамика характеризуется более высокими рабочими температурами, химической стойкостью, механической, термоударной и радиационной прочностью, износостойкостью и стабильностью параметров.

Preparation of structural ceramics in the MoSi2-SiC-ZrB2 system by free sintering

“…В работе [5] предложен способ упрочнения путем совместного перемешивания порошковых компонентов MoSi 2 с частицами SiC с последующим горячим прессованием. Известны композиционные материалы на основе SiC, содержащие MoSi 2 и NbSi 2 , которые синтезированы в процессе пропитки химически активным расплавом [6]. В технической литературе имеется значительное количество работ, посвященных исследованиям системы MoSi 2 -SiC, однако возможности получения таких керамик свободным спеканием практически не изучены.…”

Analysis of emergence, characterization and methods of imagining technological defects in ceramic composites with SiC-matrix obtained by liquid-phase silicification

“…Необходимым условием получения практически чистой SiC-матрицы является полное преобразование углеграфитовых частиц в SiC в процессе их взаимодействия с расплавом Si. В работе [16] приводятся результаты изучения механизма реакции образования SiC на межфазной границе расплава Si и С, которые показали, что поверхностный слой SiC формируется до максимальной толщины (примерно 10-15 мкм), после чего рост слоя SiC практически приостанавливается. Таким образом, подобрав соответствующий размер углеграфитовых частиц, можно обеспечить высокую степень перехода С в SiC при контакте с расплавом Si.…”

“…Таким образом, подобрав соответствующий размер углеграфитовых частиц, можно обеспечить высокую степень перехода С в SiC при контакте с расплавом Si. В работе [16] указывается на материал, полученный методом силицирования углеродной матрицы, в котором путем подбора гранулометрического состава графитовых частиц и степени уплотнения полуфабриката удалось получить керамику плотностью 3,1 г/см 3 с фазовым составом, включающим 95 % SiC и 5 % Si, при полном отсутствии остаточного С.…”