Преобразование элементного состава на поверхности 2D слоя GaN при формировании квантовых точек GaN

Abstract

Нитридные полупроводники III группы, такие как InN, GaN и AlN, в последние десятилетия представляют огромный интерес для исследования. Это обуславливается возможностью создания фотоприемных и светоизлучающих устройств от инфракрасного до ультрафиолетового диапазона используя твердые растворы III-нитридов [1]. Проблемой при создании таких устройств является высокая плотность дислокаций в выращенных структурах, которые являются центрами безызлучательной рекомбинации и снижают эффективность работы оптоэлектронных устройств. Возможный подход к преодолению этой проблемы заключается в использовании трехмерных наноструктур, известных как квантовые точки (КТ).