Применение Метода Матрицы Рассеяния Для Расчета Примесных Состояний В Полупроводниковых Структурах

Abstract

We adapted S-matrix method for calculation of energy levels and carrier wavefunctions near impurity/defect states. We demonstrate the possibility of implying this method for multiband models on the example of Luttinger Hamiltonian with Coulomb acceptor in the spherical symmetry approximation. The obtained energies of discrete levels are in well agreement with results of calculations performed by other methods.

Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

“…Данный метод уже применялся для решения уравнений с непрерывно меняющимся потенциалом [12][13][14], в том числе и в наших предыдущих работах для модели Латтинжера [15,16]. Для этого сначала ось координат разбивается на отрезки, на каждом из которых вычисляются все частные решения уравнения (4).…”