Псевдощель, Нанокристаллы И Электропроводность Легированного Силикатного Стекла

Abstract

Представление о псевдощели и нанокристаллах использовано для объяснения механизма электропроводности силикатного стекла, легированного оксидами переходных металлов (толстопленочные резисторы). Псевдощель возникает между потолком валентной зоны стекла и примесной зоной, созданной диффузией атомов лигатуры в стекло при спекании. Нанокристаллы образуются в стекле в процессе его варки, претерпевают структурные превращения при высоких температурах и действуют как центры локализации носителей заряда. Достигнуто качественное соответствие модели с экспериментальной температурной зависимостью проводимости легированного стекла в интервале от гелиевых температур до 1100 K. Ключевые слова: силикатное стекло, толстопленочные резисторы, легирование, туннелирование, нанокристаллы, псевдощель.