Радіаційна Чутливість Іонних Кристалів. Одновимірна Модель. Кристали З Дефектами Дипольного Типу

Abstract

Виникнення радіаційного забарвлення в іонних кристалах є результатом локалізації створених радіацією вільних носіїв заряду на дорадіаційних точкових дефектах кристалічної ґратки. Із накопиченням у кристалах центрів забарвлення вступають в дію зворотні процеси. Вільні носії заряду рекомбінують на центрах забарвлення, дорадіаційні дефекти відновлюються. Завдяки довготривалого опромінення кристалів встановлюється динамічна рівновага між процесами генерації центрів забарвлення та висвітлювальною дією рентгенівських променів. Запропоновано одновимірну модель іонних кристалів, у якій було розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих неізовалентними домішками. Імовірність генерації центрів забарвлення при розпаді електронно-діркової пари та імовірність висвітлювальної дії знижується зі зменшенням концентрації активатора. За високих температур незалежно від концентрації активатора в кристалі імовірність утворення центрів забарвлення під час розпаду електронно-діркової пари така ж, як імовірність їх руйнування. Це пояснено тим, що в обох випадках носії заряду взаємодіють із електронейтральними дипольними центрами. Зі зменшенням концентрації активатора зростає величина енергії, що витрачається на створення однієї комплементарної пари центрів забарвлення, а відповідно радіаційна чутливість кристала знижується.