Разработка Методов Жидкостного Травления Разделительной Меза-Структуры При Создании Каскадных Солнечных Элементов

Abstract

Investigation of the post-growth technique for fabricating multijunction solar sells based on the GaInP/GaAs/Ge heterostructure has been carried out. Investigated were methods of liquid chemical and electro-chemical etching of heterostructure layers. Technology for creating the separation mesa-structure has been developed. The improvement of the surface quality and of the profile of the mesa lateral side for heterostructures of different layer content has been achieved.

Постростовые Технологии Каскадных Фотоэлектрических Преобразователей На Основе a-=sup=-3-=/Sup=-B-=sup=-5-=/SUP=--гетероструктур

“…Различия скоростей травления разных по химическим свойствам слоев может приводить к возникновению протравов по тонким слоям, что ведет к необходимости разработки новых травителей при изменении состава гетероструктуры. Однако широкий спектр химических реактивов обеспечивает возможность разработки технологии формирования мезы различных гетероструктур[12].Высокотехнологичным методом травления слоев гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge является разработанная двустадийная методика. На первой стадии проводится травление слоев GaInP/GaInAs селективно до германиевой подложки в составе:K 2 Cr 2 O 7 , HBr, H 3 PO 4 ; на второй стадии травление Ge.…”

Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge

“…Для формирования мезы в гетероструктуре GaInP/GaInAs/Ge с использованием жидкостного химического травления были исследованы различные методики [4,5] 1, b). Ровный профиль мезаструктуры обеспечивает оптимальные условия для нанесения защитных и изолирующих покрытий на боковую поверхность мезы.…”