Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов

Abstract

Разработана технология СВЧ p-i-n-диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5 μm. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, СВЧ диоды, модуляторы, переключатели, аттенюаторы.