Рамановский Анализ И Структурные Изменения Кремния Легированного Диспрозием

Abstract

В статье представлены результаты рамановской спектроскопии кремния (n-Si), легированного диспрозием (Dy). В спектре наблюдаются новые пики на 805 см⁻¹ и 2110 см⁻¹, которые указывают на образование дефектов и взаимодействие диспрозия с кристаллической решеткой кремния. Эти изменения подтверждают формирование нанокристаллов кремния и влияют на ширину пиков, что свидетельствует о значительном изменении кристаллической структуры материала. В результате легирования диспрозием наблюдается улучшение оптических и электронных свойств кремния, что может расширить его применение в высокотехнологичных устройствах.