Расчет Резонансных Состояний Кулоновских Акцепторов В Бесщелевых Полупроводниках

Abstract

Проведены расчеты волновых функций электрона в зоне проводимости бесщелевого полупроводника вблизи кулоновского акцептора. Использовалась модель Латтинжера в приближении сферической симметрии. Получена зависимость энергии резонансных состояний акцептора от отношения масс электронов и дырок. Ключевые слова: бесщелевой полупроводник, примесь, резонансные состояния, матрица рассеяния.

Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

“…Данный метод уже применялся для решения уравнений с непрерывно меняющимся потенциалом [12][13][14], в том числе и в наших предыдущих работах для модели Латтинжера [15,16]. Для этого сначала ось координат разбивается на отрезки, на каждом из которых вычисляются все частные решения уравнения (4).…”