Резонансное Рассеяние Света Оптическими Фононами В Кристалле Алмаза С Азотозамещенной Вакансией

Abstract

Сообщается об обнаружении явления резонансного усиления интенсивности рассеяние света оптическими фононами в кристаллах алмаза c азотозамещенной вакансией. Установлено, что при этом определяющую роль в усиления интенсивности такого рассеяния играет процесс необычного резонанса с электронными переходами для оптически активных примесей азота с обеими бесфононными линиями: для нейтрального NV0-центра при 575.468 нм и для отрицательно заряженного NV--центра при 637.874 нм. Полученные экспериментальные данные указывают на обнаружение сильного резонансного усиления интенсивности во входном канале рассеяния для NV0-центра и в выходном канале для NV--центра. Ключевые слова: двойное резонансное рассеяние света, алмаз, NV-центр.

Многозонная Резонансная Спектрометрия Неупругого Электронного Рассеяния Света И Проявление Сильного Спин-Орбитального Взаимодействия В Наноструктурах С Квантовыми Точками

“…Мы также установили, что абсолютные интенсивности и формы этих спектров очень чувствительны к плотности и температуре свободных носителей. На основе анализа наших недавних интерпретаций, которые были первоначально разработаны для объемных n-InP [14,15] и p-GaAs [6][7][8], а также в полном согласии с правилами отбора (будет рассмотрено далее) экспериментальное наблюдение такой спектральной особенности можно приписать колебаниям акустических плазмонов фотовозбужденной плазмы. Прямое наблюдение таких акустических плазмонов двухкомпонентной электрон-дырочной плазмы непосредственно демонстрирует создание в них коллективных возбуждений.…”

“…Недавно многозонное резонансное рассеяние света локализованными оптическими фононами обнаружено в структуре изолированных нанокристаллических квантовых точек nc-Si/SiO 2 [12]. Также недавно нами показано, что в кристаллах алмаза, легированных азотом, формирование большого числа электронных уровней может обусловливать яркое проявление механизма многозонного резонансного рассеяния света [13][14][15]. Были представлены результаты исследований резонансного рассеяния света на оптических фононах для случая ансамбля оптически активных NV-центров в кристаллах алмаза с азотозамещенной вакансией.…”

“…Кристаллы алмаза с такими центрами привлекают значительный интерес в связи с перспективами их использования в квантовых технологиях. Полученные данные [13][14][15] указывают на обнаружение сильного усиления интенсивности неупругого резонансного рассеяния света оптическими фононами. На примере монокристалла алмаза, ориентированного по оси (100) с содержанием примесей азота [N s ] 0 < 1 ppm было установлено, что определяющую роль играют процессы резонанса с двумя электронными переходами для оптически активных примесных центров азота: (1) с бесфононными линиями для нейтрального NV 0 -центра при 575.468 nm во входном канале рассеяния при возбуждении излучением лазера с длиной волны λ i = 532.070 nm и (2) для отрицательно заряженного NV − -центра при 637.874 nm в выходном канале рассеяния при возбуждении излучением лазера с λ i = 632.817 nm.…”

“…Судя по измеренным значениям интенсивностей рассеяния света оптическими фононами, с учетом инструментальных поправок на энергетическую зависимость чувствительности спектрометра, спектральную ширину щелей, на оптическое поглощение и (1/λ i ) 4 -зависимость интенсивности рассеянного света, при возбуждении спектра излучением лазера с длиной волны λ i = 532.070 nm было обнаружено необычное увеличение интенсивности линий резонансного рассеяния света оптическими фононами в более чем в 2.5 раза. При этом, удалось показать, что больший вклад в механизм резонансного усиления интенсивности рассеяния, вносит NV 0 -центр во входном канале рассеяния [13][14][15].…”