Синтез, Состав, Фотолюминесценция, Стабильность Свойств Коллоидных Квантовых Точек На Основе Антимонида Индия

Физика И Техника Полупроводников

Smirnova²,

Хазанов³

et al. 2021

Self Cite

Исследовано влияние технологических параметров синтеза на структурно-физические свойства коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца, антимонида индия и селенида кадмия. Использование несольватирующего для прекурсора неметалла растворителя позволяет получить медленный, управляемый процесс и детально проследить все стадии кристаллизации наночастиц --- нуклеацию и рост, оствальдовское созревание, неконтролируемое разрастание. Удается получать кристаллиты совершенной структуры и размеров с минимальными разбросами --- не более ±10%. Установлено при этом, что максимальные размеры наночастиц ограничены термодинамическими условиями роста и имеют величину ~ 5 нм. Кроме того, квантовые точки проявляют ряд специфических свойств --- аномальную температурную зависимость фотолюминесценции и нестабильность вольт-амперной характеристики, которым дано объяснение в модели размерного квантования энергии и импульса неравновесных электронов. Для разных вариантов полупроводников особенности проявляются значительней с увеличением параметров размерного квантования. Ключевые слова: коллоидный синтез, коллоидная квантовая точка, кинетическая и термодинамическая модели, сольватирующий растворитель, быстрая и медленная кристаллизация, кристаллическая и зонная структура, параметры размерного квантования, фотолюминесцентные и вольт-амперные характеристики.

Section: методика исследованияunclassified

Свойства Полупроводниковых Коллоидных Квантовых Точек, Полученных В Условиях Управляемого Синтеза

Физика И Техника Полупроводников

Smirnova²,

Хазанов³

et al. 2021

Self Cite

“…Целью настоящей работы является исследование особенностей излучательных свойств наиболее изучаемых квантово-размерных частиц на основе узкозонных полупроводников: QP-PbS и QP-InSb. QP изготавливались методом коллоидного синтеза [7] и исследовались методами фотолюминесценции [6], просвечивающей электронной микроскопии (ТЕМ) [8] и с помощью анализа вольт-амперных характеристик (ВАХ) [9].…”

unclassified

Особенности Излучательных Свойств Квантово-Размерных Частиц Узкозонных Полупроводников

Письма В Журнал Технической Физики

Сергеев²,

Хазанов³

et al. 2021

Self Cite

For colloidal quantum-size particles (QP) of narrow-gap semiconductors, in contrast to quantum dots of wide-gap CdSe, in QP-PbS there take place an anomalous temperature dependence of the photoluminescence intensity. Also, in the planar microstructure containing QP-InSb, long-wavelength radiation (more than 3 µm) and photoconductivity (over 20 µm) was observed. Under certain conditions, the radiation intensity and photoconductivity demonstrate a resonance maximum. The effects were explained in the model of a one-dimensional quantum oscillator, which energy substantially depends on the effective mass of its quasi-free electron. This leads to competition between the manifestations of long-wave radiation and photoluminescence, and hence, to the anomalous temperature dependence of photoluminescence. It is assumed that QP-InSb in a planar microstructure can be sources and receivers of terahertz radiation, which properties depend on the crystal structure of quantum-sized particles determined by the parameters of their synthesis.

“…В настоящей работе нами проведены измерения и модельный анализ механизмов электронного транспорта в МЗС ПТС с квантовыми точками полупроводников CdSe, PbS, InSb, синтезированными по технологии, описанной в работе [14], при соответствующих коррективах состава и режимов. Ядро квантовых точек окружено оболочкой CdS толщиной не более шести атомных слоев.…”

unclassified

Исследование Квантовых Точек В Мультизеренном Слое Планарно-Торцевой Микроструктуры

Письма В Журнал Технической Физики

Ягудин²,

Абаньшин³

et al. 2020

Self Cite

Quantum dots (QDs) of Cds, PbS, and InSb semiconductors in a multi-grain layer of planar-edge microstructure were studied. A model of the ordered arrangement of CT in the micro-gap structure and the flow of current along the lines of parallel arrangement of QD is proposed. Electronic transport at low voltage values (less than 8 V) is determined by thermal and tunnel emission from the QD into the gap, at high values - by the charge restriction in the QD according to the Coulomb block model. A strong influence of IR and UV radiation on the VAC was found.