Создание тонких пленок NbN при комнатной температуре подложки

Abstract

Thin NbN films were prepared by magnetron sputtering. The films were prepared on sapphire substrates at temperatures of 20–300 ° C. Superconducting transition temperature for different samples, depending on the substrate temperature during deposition was 8–14 K. The density of the critical current jc lies in the range of 0.8−8 MA / cm2, which allows the usage of these films for creation of multilayer structures, due to the absence of annealing, to which each underlying layer with structures is exposed when sputtered next.

Влияние ионного облучения на свойства тонких сверхпроводящих пленок NbN

“…Целью настоящей работы была демонстрация возможности применения доз облучения меньших, чем обычно используются при создании интегрированных сопротивлений, в процессе преобразования сверхпроводящего NbN в металлическую фазу при рабочей температуре в ходе реализации радиационного метода селективного замещения атомов, разработанного в НИЦ " Курчатовский институт" [4,5]. В связи с возможной необходимостью использования более высоких температур стабилизирующего отжига при создании многослойных устройств, в данной работе выполнено изучение влияние отжигов при повышенных температурах на свойства пленок, облученных для создания интегрированных сопротивлений.…”