2021
DOI: 10.21883/ftp.2021.01.50383.9519
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si

Abstract: Целью работы являлось исследование влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на оптические свойства эпитаксиального слоя GaAs, выращенного методом МОС-гидридной эпитаксии. Впервые показано, что низкотемпературный рост высококачественных эпитаксиальных пленок GaAs может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0

Publication Types

Select...

Relationship

0
0

Authors

Journals

citations
Cited by 0 publications
references
References 24 publications
0
0
0
Order By: Relevance

No citations

Set email alert for when this publication receives citations?