СПЕЦИФИКА ПЕРЕХОДА К ТЕХНОЛОГИИ «28 НМ» В ЧАСТИ РАЗРАБОТКИ ФОТОШАБЛОНОВ ДЛЯ ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, "Электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Abstract

В условиях текущего уровня развития российской микроэлектроники переход к проектным нормам «28 нм» влечет необходимость использования как более совершенных литографических установок и фотошаблонов (ФШ) более высоких групп качества, так и новых для отечественных разработчиков вычислительных методов, применяемых при проектировании фотошаблонов. В статье производится обзор основных касающихся разработки ФШ технологических и инструментальных особенностей, характерных для литографии проектных норм «28 нм», в сравнении с наиболее современной из имеющихся в России серийных технологий производства СБИС – технологией проектных норм «90 нм».