2018
DOI: 10.21883/ftt.2018.02.45383.242
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Спин-волновой резонанс в химически осажденных Fe-Ni пленках: измерения спин-волновой жесткости и константы поверхностной анизотропии

Abstract: Single-layer Fe_ x Ni_1 - x thin magnetic films have been investigated by the spin-wave resonance technique in the entire concentration range. The surface anisotropy and exchange stiffness constants for the films with a Ni content from 30 to 80 at % have been measured from the experimental standing spin wave spectra. The surface exchange spin wave penetration depth δ_ C = 20–30 nm has been determined from the dependences of the surface anisotropy and exchange coupling constants on the Fe_20Ni_80 film thickness… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

0
0
0
4

Year Published

2020
2020
2021
2021

Publication Types

Select...
3

Relationship

3
0

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(4 citation statements)
references
References 19 publications
(28 reference statements)
0
0
0
4
Order By: Relevance
“…Структура спектров СВР систем с композицией " ферромагнетик"/ " немагнитный слой"/ " ферромагнетик" определяется рядом условий: наличием или отсутствием взаимодействия между слоями [7,22,23]; образованием стоячей спиновой обменной волны либо в каждом отдельном слое, либо в пределах всей магнитной системы [21]; а также эффектами, возникающими на интерфейсе, и граничными условиями [24][25][26]. Позиции резонансных полей отдельных мод в спектре СВЧ поглощения однородной тонкой пленки в зависимости от геометрии эксперимента определяются [27,28]:…”
Section: получение образцов и методика экспериментаunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Структура спектров СВР систем с композицией " ферромагнетик"/ " немагнитный слой"/ " ферромагнетик" определяется рядом условий: наличием или отсутствием взаимодействия между слоями [7,22,23]; образованием стоячей спиновой обменной волны либо в каждом отдельном слое, либо в пределах всей магнитной системы [21]; а также эффектами, возникающими на интерфейсе, и граничными условиями [24][25][26]. Позиции резонансных полей отдельных мод в спектре СВЧ поглощения однородной тонкой пленки в зависимости от геометрии эксперимента определяются [27,28]:…”
Section: получение образцов и методика экспериментаunclassified
“…1, b и c). Когда хотя бы на одной поверхности трудная ось поверхностной анизотропии нормальна к поверхности пленки (тип закрепления " легкая плоскость" и K S < 0), в спектре СВР возможна регистрация гиперболической нераспространяющейся обменной спиновой волны (поверхностной моды) с мнимым волновым вектором [24][25][26]29].…”
Section: связанная с константой обменного взаимодействияunclassified
“…Во-первых, наличие поверхностных мод (на рис. 3 обозначены S1 и S2) свидетельствует об антисимметричном закреплении поверхностных спинов, когда трудная ось поверхностной анизотропии нормальна к поверхности пленки (константа поверхностной анизотропии K S < 0) [47]. Созданные граничные условия приводят к реализации в спектрах четных мод с интенсивностью существенно меньшей, чем интенсивность соседних нечетных мод.…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
“…Методы ферромагнитного (ФМР) и спин-волнового (СВР) резонанса известны как надежные инструменты при определении фундаментальных параметров магнитных материалов: эффективной намагниченности M e f f , константы обменного взаимодействия A (в диапазоне волновых векторов k = (1−20) • 10 5 cm −1 ) и спин-волновой жесткости η, константы поверхностной анизотропии K S . Объектами исследования могут выступать самые разные классы материалов -тонкие ферромагнитные пленки [1][2][3][4][5], порошковые системы [6,7], разбавленные магнитные полупроводники [8,9], нанокомпозиты ферромагнитный металл-диэлектрик [10][11][12], а также ферригидридные наночастицы биологического и химического происхождения [13,14]. Угловые зависимости резонансных полей, как в перпендикулярной, так и в параллельной ориентации постоянного магнитного поля H относительно плоскости тонкой пленки, позволяют получить информацию о наличии и величине вклада анизотропии разного вида -магнитокристаллической, магнитоупругой, поверхностной [8,[15][16][17].…”
Section: Introductionunclassified