Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах

Abstract

Изучено атомное строение и энергетический спектр гетероструктур, формирующихся в системе бинарных соединений InSb/AlAs. Твердый раствор Inx Al 1−x Sby As 1−y , из которого формируются квантовые ямы в структурах InSb/AlAs, распадается на две фазы разного состава. Характерные размеры областей, содержащих отдельные фазы твердого раствора в плоскости структуры, составляют 5−7 нм. Спинодальный распад твердого раствора приводит к формированию в квантовых ямах изученных гетероструктур сосуществующих областей с энергетическим спектром первого и второго рода и непрямой в пространстве квазиимпульсов запрещенной зоной.

XXVII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2023 г. Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs

“…Структуры содержали один слой КТ, помещенный между слоями AlAs. Плотность (5 • 10 10 см −2 ) и средний диаметр (20 нм) КТ определены методом электронной микроскопии в работе [37]. Относительно низкая плотность точек препятствует перераспределению носителей заряда по ансамблю КТ [38,39].…”

“…Изменение концентрации носителей заряда в гетероструктуре осуществлялось ее легированием донорной (кремний) или акцепторной (бериллий) примесью до уровня 5 • 10 18 см −3 . Технология выращивания гетероструктур подробно описана в работах [37,40,41]. Для предотвращения возгонки As с поверхности структур при высоких температурах структуры покрывались защитным слоем SiO 2 толщиной 150 нм [5].…”

Рекомбинация И Спиновая Динамика Экситонов В Непрямозонных Квантовых Ямах И Квантовых Точках

“…Отметим, что если непрямозонные гетероструктуры второго рода изучаются вот уже более 30 лет, главным образом, благодаря работам, посвященным иссле- дованию КТ Ge/Si [8] и короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs [9], то изучение непрямозонных гетероструктур первого рода началось относительно недавно. Тем не менее, несмотря на то, что первые сообщение об этих объектах появились около десяти лет назад, за прошедшее время было показано, что КЯ и КТ с таким энергетическим спектром широко распространены [10,11] и могут быть реализованы на основе бинарных соединений А 3 В 5 : арсенидов, фосфидов и антимонидов с кубической симметрией элементарной ячейки таких как, например: InAs/AlAs [12], GaSb/AlAs [13,14], InSb/AlAs [14], GaAs/GaP [15,16], GaSb/GaP [17], (In,Ga)As/GaP [18]. Для демонстрации особенностей рекомбинации и спиновой динамики непрямых в пространстве квазиимпульсов экситонов в статье приведены результаты исследования двух модельных систем: ансамбля квантовых точек (In, Al)As/AlAs первого рода [12] и ультратонкой квантовой ямы GaAs/AlAs второго рода [19,20].…”