Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe-=SUB=-3-=/SUB=-O-=SUB=-4-=/SUB=-/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/n-Si и Fe-=SUB=-3-=/SUB=-O-=SUB=-4-=/SUB=-/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/p-Si

Abstract

Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe 3 O 4 /SiO 2 /n-Si и Fe 3 O 4 /SiO 2 /p-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe 3 O 4 /SiO 2 /n-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe 3 O 4 /SiO 2 /p-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO 2 /Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe 3 O 4 ∼ 50 nm. Работа частично поддержана Комплексной программой фундаментальных исследований ДВО РАН "