Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In-=SUB=-0.8-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.2-=/SUB=-As и фотоэлектрических преобразователей на их основе

Abstract

<jats:p> Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In<jats:sub>0.8</jats:sub>Ga<jats:sub>0.2</jats:sub>As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In<jats:sub>0.8</jats:sub>Ga<jats:sub>0.2</jats:sub>As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In<jats:sub>0.8</jats:sub>Ga<jats:sub>0.2</jats:sub>As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In<jats:sub>0.8</jats:sub>Ga<jats:sub>0.2</jats:sub>As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. Ключевые слова: фототок, квантовые точки, фотоэлектрические преобразователи. </jats:p>

Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в i-области

“…Кроме того, такие исследования впервые проведены для КТ In 0.8 Ga 0.2 As, для которых достигается лучшая по сравнению с " классическими" КТ InAs релаксация напряжений, создаваемых массивом в GaAs-матрице, что позволяет увеличить объем поглощающей среды без потерь квантовой эффективности фотопреобразователя [12].…”

“…Методом металлоорганической газофазной эпитаксии было выращено четыре структуры: реперный GaAsфотопреобразователь, не содержащий КТ (Refer), а также три ФП с различным расположением КТ в i-области. Технология формирования КТ In 0.8 Ga 0.2 As и описание их свойств представлены в работе [12]. В образце Center-QD КТ располагались в центре i-области.…”