Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- на кремниевых подложках

Abstract

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на " виртуальной подложке" Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены " гибридные " лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3−1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30−70 кВт/см 2 .