Структура Термоэлектрических Пленок Высшего Силицида Марганца На Кремнии По Данными Электронной Микроскопии

Abstract

Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44547.06

ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Mn4Si7−Si<Mn>−Mn4Si7 и Mn4Si7-Si<Mn>−M

“…Для исследования структуры поперечных сечений пленок ВСМ проводили травление образцов тремя пучками ионов Ar + при ускоряющем напряжении 1-5 кэВ через защитную маску в LeicaTIC. Структуру ВСМ и Si<Mn> и их границы на наноуровне уточняли с помощью преобразования Фурье от локальных областей ВРЭМ изображений (детальный структурный анализ границы раздела ВСМ и кремния приведен в [5,6]).…”

“…Для второй (б) партии образцов Si, легированных марганцем, аморфной слой на границе раздела не обнаружен. Детальный структурный анализ границ раздела пленка ВСМ-подложка (Si<Mn>) для образцов серии (б) проведен в [5,6].…”