Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния

Abstract

Цель работы заключалась в исследовании влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоя GaAs в методе MOCVD. Впервые показано, что низкотемпературный рост эпитаксиальных пленок GaAs высокого кристаллического качества может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя. Ключевые слова: GaAs, Si, por-Si, сверхструктурный слой.