Температурная Зависимость Ширины Запрещенной Зоны, Обусловленная Колебаниями Решетки И Тепловым Уширением Энергетических Уровней

Abstract

Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. В приближении метода эффективной массы определяется изменение ширины запрещенной зоны за счет взаимодействия электронов с колебаниями решетки и теплового уширения энергетических уровней. Результаты теории сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что для объяснения зависимости ширины запрещенной зоны необходимо учитывать вклад термического уширения энергетических уровней. Установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны определяется как взаимодействием электронов с колебаниями решетки, так и тепловым уширением уровней энергии в разрешенных зонах.