Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb<sub>0.2</sub>Sn<sub>0.8</sub>Te, полученного термическим разложением солей

Іванова, Лілія; Леонтьев, В. Г.; Петрова, Л. И.; Гранаткина, Ю. В.; Авилов, Е. С.

doi:10.7868/s0002337x14020067

Cited by 1 publication

(3 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…где x i , y i соответствуют текущим координатам -зна-чениям свойства; x max , y max -максимальные значения этих свойств. Значения электропроводности и теплопро-водности вдоль плоскостей спайности и перпендикуляр-но к ним были взяты из работы [9].Из анализа формы эллипсоида вращения термоэлек-трической эффективности следует, что рассеяние ориен-тировок в пределах ±5 угловых градусов существенно не сказывается на величине Z.Из-за анизотропии коэффициента термического рас-ширения межзерненные напряжения также определя-ются ориентировкой соседних зерен и положением границы между ними. Так как между плоскостями спайности (0001) действуют слабые ван-дер-ваальсовые связи, именно по этим плоскостям и происходит чаще всего разрушение материала.…”

unclassified

“…Значения электропроводности и теплопро-водности вдоль плоскостей спайности и перпендикуляр-но к ним были взяты из работы [9].…”

unclassified

See 2 more Smart Citations

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Demcheglo¹,

Воронин²,

Табачкова³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi 2 Se 0.3 Te 2.7 с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44789.58 В диапазоне температур 250−450 K наиболее перспек-тивными термоэлектрическими материалами остаются твердые растворы на основе теллурида висмута. В этом температурном диапазоне они могут использоваться как для систем охлаждения, так и в качестве генераторных материалов при относительно невысокой температуре (низкопотенциального) источника тепла. В последнее время особый интерес проявляется к наноструктури-рованным термоэлектрическим материалам, в которых наблюдается значительное увеличение параметра тер-моэлектрической эффективности Z [1][2][3]. Но и в ма-териалах, полученных кристаллизацией из расплава, тоже можно добиться увеличения термоэлектрической эффективности до 70% [4][5][6][7].Одной из существенных проблем получения слитков термоэлектрических материалов методом кристаллиза-ции из расплава является проблема напряжений, кото-рые приводят к растрескиванию и разрушению материа-ла при дальнейшей механической обработке в процессе изготовления термоэлементов.Уровень напряжений в слитках определяется как тем-пературными градиентами, так и анизотропией коэф-фициентов термического расширения (КТР) соседних зерен с разной ориентировкой и положением границ между ними, а также возможной химической неоднород-ностью материала.В данной работе объектом исследования служили образцы термоэлектрического материала n-типа про-водимости на основе твердого раствора Bi 2 Te 2.7 Se 0.3 , полученного кристаллизацией из расплава модифициро-ванным методом Бриджмена [8], который заключается в выращивании термоэлектрических пластин в плос-кой полости. Проведен анализ анизотропии свойств с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Структуру исследовали ме-тодом рентгеновской дифрактометрии на установке D8 Discover фирмы Bruker.Для анализа кристаллографической анизотропии и связанной с ней анизотропии физических свойств бы-ла построена диаграмма анизотропии термоэлектриче-ской эффективности Z для тройного твердого раство-ра Bi 2 Te 2.7 Se 0.3 (рис. 1). Сечение эллипсоидов враще-ния описывается уравнением указательной поверхности те...

show abstract

unclassified

See 1 more Smart Citation

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Demcheglo¹,

Воронин²,

Табачкова³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb_0.2Sn_0.8Te, полученного термическим разложением солей

Cited by 1 publication

References 0 publications

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Contact Info

Product

Resources

About

Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb0.2Sn0.8Te, полученного термическим разложением солей

Cited by 1 publication

References 0 publications

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Структура пластин твердого раствора Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-0.3-=/SUB=-Te-=SUB=-2.7-=/SUB=-, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

Contact Info

Product

Resources

About

Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb_0.2Sn_0.8Te, полученного термическим разложением солей