2020
DOI: 10.21883/pjtf.2020.05.49104.18107
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Толстые эпитаксиальные слои alpha-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- : Sn на профилированной сапфировой подложке

Abstract: Получены и исследованы эпитаксиальные слои нового широкозонного полупроводника alpha-Ga2O3, легированного оловом. Слои выращены методом хлоридной эпитаксии на гладких и профилированных сапфировых подложках. Данный тип профилированных подложек широко применяется для увеличения выхода излучения в высокоэффективных светодиодных структурах на основе InGaN. Проведен сравнительный анализ свойств полученных слоев оксида галлия. Оба типа образцов обладали проводимостью n-типа, однако выявлено различие в зависимостях е… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2023
2023
2023
2023

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 13 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…В результате в слое возникает высокая плотность проникающих дислокаций (ПД), которые пронизывают слой от интерфейса с подложкой до поверхности [5][6][7]. Для снижения плотности ПД в эпитаксиальных слоях α-Ga 2 O 3 применяются следующие подходы: маскирование подложек [8], выращивание на патернированных подложках [9] и использование буферных слоев [10]. Альтернативным направлением является применение призматических и пирамидальных граней сапфира [11][12][13].…”
unclassified
“…В результате в слое возникает высокая плотность проникающих дислокаций (ПД), которые пронизывают слой от интерфейса с подложкой до поверхности [5][6][7]. Для снижения плотности ПД в эпитаксиальных слоях α-Ga 2 O 3 применяются следующие подходы: маскирование подложек [8], выращивание на патернированных подложках [9] и использование буферных слоев [10]. Альтернативным направлением является применение призматических и пирамидальных граней сапфира [11][12][13].…”
unclassified