Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)

Abstract

Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As,P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.