Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда

Abstract

Теоретически исследован спектр поглощения/усиления терагерцового излучения в неоднородном графене (n−i−p−i-структура) с периодической двойной металлической решеткой. Показано, что усиление терагер-цового излучения на частоте плазмонного резонанса резко возрастает, когда потери за счет электронного рассеяния и потери на излучение уравновешиваются плазмонным усилением (связанным со стимулированной излучательной межзонной рекомбинацией электронно-дырочных пар в инвертированной области графена).