Фотоэлектрические Характеристики Структур Карбид Кремния-Кремний, Выращенных Методом Замещения Атомов В Кристаллической Решетке Кремния

Abstract

Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458

Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок beta-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-, синтезированных на подложках SiC/Si

“…Метод наноиндентирования является одним из наиболее перспективных методов изучения механических свойств кристаллов и их кристаллического качества как объем-ных материалов, так и тонких пленок [13][14][15]. Следует отметить, что в случае тонких пленок для получения наиболее корректных результатов измерения глубину проникновения индентора в исследуемый материал сле-дует ограничить 10% от общей толщины пленки, так как это позволит исключить влияние подложки.…”

Механизм Образования Углеродно-Вакансионных Структур В Карбиде Кремния При Его Росте Методом Замещения Атомов

“…Кремниевая вакансия будет обладать свойствами акцептора, т. е. получит отрицательный заряд. В результате возникнет электрический диполь, а в слое SiC возникнет электрическое поле [11]. Данная ситуация неустойчива, поскольку возникнет механохимический эффект, который приводит к тому, что часть атомов кремния будет смещаться по направлению к поверхности пленки.…”

Физико-Механические Свойства И Микромеханизмы Локального Деформирования Материалов С Различной Зависимостью Твердости От Глубины Отпечатка

“…В частности, получили распространение миниатюр-ные микро-/наноэлектромеханические системы, сенсо-ры, актуаторы, многослойные структуры [1][2][3][4], тонкие пленки, покрытия [5] и др. При их проектировании, изготовлении и эксплуатации необходимо учитывать, что физико-механические свойства традиционных и, особенно, новых, наноструктурированных материалов в субмикронных и нанообъемах, тонких пленках и приповерхностных слоях могут сильно отличаться от макроскопических свойств, приводимых в инженерных справочниках.…”